企业信息

    北京赛福莱博科技有限公司

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  • 公司认证: 营业执照已认证
  • 企业性质:外资企业
    成立时间:2014
  • 公司地址: 北京市 昌平区 回龙观地区 龙博苑二区
  • 姓名: 苏晨
  • 认证: 手机已认证 身份证未认证 微信已绑定

    APCSBPAR10K20H-WPUPS电源生产厂家

  • 所属行业:IT 机房布线 机房UPS电源
  • 发布日期:2018-08-02
  • 阅读量:164
  • 价格:1.00 元/台 起
  • 产品规格:SBPAR10K20H-WP
  • 产品数量:1.00 台
  • 包装说明:不限
  • 发货地址:北京昌平回龙观  
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    APCSBPAR10K20H-WPUPS电源生产厂家详细内容

    APCSBPAR10K20H-WPUPS电源生产厂家
    UPS主要有后备式、在线互动式和在线式三种结构。在线式UPS 以其可靠性高,输出电压稳定,无中断时间等显着优点,广泛用于通信系统、税务、金融、证券、电力、铁路、民航、**的机房中。本文以在线式为介绍对象,介绍UPS中的IGBT的应用。
     
    
    
    图1 在线式不间断电源主电路图
     
    
            图1 为在线式UPS 的主电路,在线式UPS 电源具有独立的旁路开关、AC/DC 整流器、充电器、DC/AC 逆变器等系统,工作原理是:市电正常时AC/DC 整流器将交流电整流成直流电,同时对蓄电池进行充电,再经DC/AC 逆变器将直流电逆变为标准正弦波交流电,市电异常时,电池对逆变器供电,在UPS 发生故障时将输出转为旁路供电。在线式UPS输出的电压和频率较为稳定,能为用户提供真正高质量的正弦波电源。
    
    a.旁路开关(AC BYPASS SWITCH)
    
            旁路开关常使用继电器和可控硅。继电器在中小功率的UPS 中广泛应用。优点是控制简单,成本低,缺点是继电器有转换时间,还有就是机电器件的寿命问题。可控硅常见于中大功率UPS 中。优点是控制电流大,没有切换时间。但缺点就是控制复杂,且由于可控硅的触发工作特性,在触发导通后要在反向偏置后才能关断,这样就会产生一个较大10ms 的环流电流,如图2。如果采用IGBT,如图3,则可以避免这个问题,使用IGBT有控制简单的优点,但成本较高。其工作原理为:当输入为正半周时,电流流经Q1、D2,负半周时电流流经D1、Q2。
     
    
    
     
    
    b.整流器AC/DC
    
            UPS 整流电路分为普通桥堆整流、SCR 相控整流和PFC 高频功率因数校正的整流器。传统的整流器由于基频为50HZ,滤波器的体积重量较重,随着UPS 技术的发展和各国对电源输入功率因数要求,采用PFC 功率因数校正的UPS 日益普及,PFC 电路工作的基频至少20KHZ,使用的滤波器电感和滤波电容的体积重量大大减少,不必加谐波滤波器就可使输入功率因数达到0.99,PFC 电路中常用IGBT 作为功率器件,应用IGBT 的PFC 整流器是有效率高、功率容量大、绿色环保的优点。
    
    c.充电器
    
            UPS 的充电器常用的有反激式、BOOST升压式和半桥式。大电流充电器中可采用单管IGBT,用于功率控制,可以取得很高的效率和较大的充电电流。
    
    d.DC/AC 逆变器
    
            3KVA 以上功率的在线式UPS 几乎全部采用IGBT 作为逆变部分的功率器件,常用全桥式电路和半桥电路,如下图4。
     
    
    
    
    IGBT 损坏的原因
    
            UPS 在使用过程中,经常受到容性或感性负载的冲击、过负荷甚至负载短路等,以及UPS 的误操作,可能导致IGBT 损坏。IGBT 在使用时的损坏原因主要有以下几种情况:
    
    a.过电流损坏;
    
            IGBT 有一定抗过电流能力,但必须注意防止过电流损坏。IGBT 复合器件内有一个寄生晶闸管,所以有擎住效应。图5 为一个IGBT 的等效电路,在规定的漏较电流范围内,NPN 的正偏压不足以使NPN 晶体管导通,当漏较电流大到一定程度时,这个正偏压足以使NPN 晶体管开通,进而使NPN 和PNP 晶体管处于饱和状态,于是寄生晶闸管开通,门较失去了控制作用,便发生了擎住效应。IGBT 发生擎住效应后,漏较电流过大造成了过高的功耗,最后导致器件的损坏。
    
    b.过电压损坏;
    
            IGBT 在关断时,由于逆变电路中存在电感成分,关断瞬间产生尖峰电压,如果尖峰电压过压则可能造成IGBT 击穿损坏。
    
    c.桥臂共导损坏;
    
    d.过热损坏和静电损坏。
    
    IGBT 损坏的解决对策
    
    a.过电流损坏
    
            为了避免IGBT 发生擎住效应而损坏,电路设计中应保证IGBT 的较大工作电流应不**过IGBT 的IDM 值,同时注意可适当加大驱动电阻RG 的办法延长关断时间,减小IGBT 的di/dt。驱动电压的大小也会影响IGBT 的擎住效应,驱动电压低,承受过电流时间长,IGBT 必须加负偏压,IGBT 生产厂家一般推荐加-5V 左右的反偏电压。在有负偏压情况下,驱动正电压在10—15V 之间,漏较电流可在5~10μs 内**过额定电流的4~10 倍,所以驱动IGBT 必须设计负偏压。由于UPS 负载冲击特性各不相同,且供电的设备可能发生电源故障短路,所以在UPS 设计中采取限流措施进行IGBT的电流限制也是必须的,可考虑采用IGBT 厂家提供的驱动厚膜电路。如FUJI 公司的EXB841、EXB840,三菱公司的M57959AL,57962CL,它们对IGBT 的集电极电压进行检测,如果IGBT 发生过电流,内部电路进行关闭驱动。这种办法有时还是不能保护IGBT,根据IR 公司的资料,IR 公司推荐的短路保护方法是:首先检测通态压降Vce,如果Vce **过设定值,保护电路马上将驱动电压降为8V,于是IGBT 由饱和状态转入放大区,通态电阻增大,短路电路减削,经过4us 连续检测通态压降Vce,如果正常,将驱动电压恢复正常,如果未恢复,将驱动关闭,使集电极电流减为零,这样实现短路电流软关断,可以避免快速关断造成的过大di/dt 损坏IGBT,另外根据较新三菱公司IGBT 资料,三菱推出的F 系列IGBT 的均内含过流限流电路(RTC circuit),如图6,当发生过电流,10us 内将IGBT 的启动电压减为9V,配合M57160AL 驱动厚膜电路可以快速软关断保护IGBT。
     

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